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公司動态

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2022.06.17
新品 | 思遠半導體(tǐ)推出集成eFuse功能的OVP&OCP産品SY5321 助力提升消費(fèi)電(diàn)子産品的可靠性


       近年來，随着5G、物(wù)聯網、人工(gōng)智能等新興技術的發展，越來越多樣化的便攜消費(fèi)電(diàn)子産品進入消費(fèi)者的生(shēng)活，也帶來了豐富的應用體(tǐ)驗，用戶對于電(diàn)子産品端口插拔應用的可靠性要求也在持續提升。


      以智能手表手環的應用爲例，适配器輸出通過充電(diàn)底座的pogo pin連接到主機進行充電(diàn)，爲了防止外(wài)露的pogo pin短路損壞，充電(diàn)底座上往往會增加Fuse進行電(diàn)流過流及短路防護；而主機端口爲了實現浪湧防護和熱插拔的保護，也會在端口增加獨立的OVP&OCP芯片。


      爲了提升産品的端口防護可靠性，思遠半導體(tǐ)推出集成eFuse功能的OVP&OCP端口保護IC  SY5321，這是一(yī)款具有輸入欠壓和過壓保護、負載電(diàn)流異常保護，以及過溫保護等特點集一(yī)身的高集成OVP& OCP IC。SY5321應用于充電(diàn)電(diàn)路或低壓系統的前端，以避免锂電(diàn)池或低壓系統受異常輸入故障的影響，可承受高達30V的異常輸入電(diàn)壓。


       當輸入電(diàn)壓大(dà)于過壓保護阈值時，IC将在50nS内快速關閉内部MOSFET，避免後端低壓系統受到異常高輸入電(diàn)壓的影響；IC可通過ILIM與地連接的電(diàn)阻限定輸入電(diàn)流，防止低壓系統的輸入電(diàn)流過大(dà)；同時當IC檢測到芯片溫度超過過溫保護阈值時，也将關閉MOSFET，停止供電(diàn)。當SY5321由處理器控制時，主機可通過FLT狀态獲取IC的工(gōng)作狀态。


SY5321産品特性

· 30V輸入耐壓

· 高精度的輸入過壓保護

· 輸入OVP保護關斷小(xiǎo)于50nS

· 軟啓動以抑制浪湧電(diàn)流

· 支持高達3A的電(diàn)流輸出能力

· 外(wài)接電(diàn)阻設置OCP，±10%精度

· 支持EFUSE應用

· 熱關斷

· EN使能功能

· FLT狀态指示

· DFN-2x2-8L封裝

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（SY5321典型應用圖-端口輸入防護）

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（SY5321典型應用圖 – eFuse應用）


      SY5321典型應用包括但不限于智能手表、手環、TWS耳機充電(diàn)倉、MP3播放(fàng)器、手機等便攜式電(diàn)子産品。對SY5321感興趣的小(xiǎo)夥伴，可以聯系對應的代理商(shāng)或者銷售窗口來申請開(kāi)發闆及樣品。

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（SY5321典型應用）

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