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思遠半導體(tǐ)市場銷售總監 王飛
10月30日至31日,由電(diàn)子發燒友和慕尼黑華南(nán)電(diàn)子展聯合主辦的以“智物(wù)聯,新風向”爲主題的2023第十屆中(zhōng)國IoT大(dà)會在深圳國際會展中(zhōng)心圓滿舉行,本次大(dà)會旨在爲各大(dà)應用市場更好地了解最新IoT創新技術帶來的商(shāng)機和挑戰,更好地把握市場脈搏。其中(zhōng),思遠半導體(tǐ)市場銷售總監王飛受邀出席本屆大(dà)會的可穿戴設備分(fēn)論壇,爲現場與會人士帶來關于“思遠半導體(tǐ)智能穿戴低功耗電(diàn)源解決方案”的演講,包括分(fēn)享智能手表發展的曆程與功能演變,以及介紹基于智能手表對電(diàn)源在更長續航、精準監測、穩定連接等方面的需求,思遠半導體(tǐ)可提供的更高效、更緊湊、更智能的智能穿戴産品電(diàn)源解決方案。
Buck:
低功耗//低紋波//高效率//
優秀的動态響應
SY5111、SY5112
SY5111:6V,300mA 低功耗Buck
SY5112:6V,600mA 低功耗Buck
•2.15~6V 輸入電(diàn)壓
•靜态功耗低至200nA
•100uA負載效率高達90%
•輕載PFM模式
•輸出電(diàn)壓可選
•輸出放(fàng)電(diàn)模式
•WLCSP-8:1.7mm*0.9mm
•DFN2x2-8
Boost:
低功耗//低紋波//高效率//
優秀的動态響應
SY5951
超低功耗同步Boost
•0.7~5.5V 輸入電(diàn)壓
•Vin:50nA靜态電(diàn)流
•峰值限流高至1A
•輕載PFM模式 輸出電(diàn)壓可調,定壓版本可選
•Shutdown模式下(xià)輸出完全斷開(kāi)
•0.1mA負載效率高達90%
•10-300mA負載效率高達93%
•WLCSP-8:1.4mm*1mm
•DFN2x2-8
LDO:
低功耗//高PSRR//高精度
SY5002
5.5V,300mA低功耗LDO
•1.8~5.5V 輸入電(diàn)壓
•靜态功耗低至600nA
•Standby電(diàn)流低至30nA
•1%輸出電(diàn)壓精度
•固定輸出電(diàn)壓版本
•PSRR:63dB @10mA,0.8V,1kHz
•輸出自動放(fàng)電(diàn)功能
•Low dropout電(diàn)壓:196mV @3.3V,300mA
•DFN1x1-4
•SOT23-5
Load-switch:
低功耗//低阻抗//小(xiǎo)封裝//
部分(fēn)應用需要輸出防倒灌
SY5702
5.5V,2A,帶RCP低功耗Load-switch
•1.2~5.5V 輸入電(diàn)壓
•靜态功耗低至250nA
•shutdown電(diàn)流低至10nA
•43mohm内部阻抗
•輸出電(diàn)壓防倒灌功能
•輸出自動放(fàng)電(diàn)功能
•FOCSP4:0.76x0.76mm
•DFN1x1-4
SY5701
5.5V,1.5A,低功耗Load-switch
•1.2~5.5V 輸入電(diàn)壓
•靜态功耗低至15nA
•shutdown電(diàn)流低至10nA
•66mohm内部阻抗
•輸出自動放(fàng)電(diàn)功能
•FOCSP4:0.76x0.76mm
•DFN1x1-4
穿戴系統的充電(diàn)管理:
低功耗,高精度等
SY6202
I2C,NVDC,1.5A Buck 開(kāi)關充電(diàn)
•耐壓高達22V
•1.5MHz開(kāi)關頻(pín)率
•0.5%充電(diàn)電(diàn)壓精度
•5%充電(diàn)電(diàn)流精度
•截止電(diàn)流低至20mA
•1A充電(diàn)效率高達92%
•内置遠端電(diàn)池采樣
•内部參數I2C可調
•NVDC power path
•10.5uA stand-by電(diàn)流
•Shipmode電(diàn)流低至1.2uA
•CSP20-2x2mm
伴随人工(gōng)智能、物(wù)聯網等高新技術持續發展、消費(fèi)者對電(diàn)子終端的需求逐步增加,智能穿戴産品的功能将随之更加完善,芯片在其中(zhōng)發揮的核心作用也将更爲重要,思遠半導體(tǐ)将會持續深耕智能穿戴産品市場,不斷提升團隊研發及創新實力,爲全球客戶帶來更多優質的“芯”産品。
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